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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB vs Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Puntuación global
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
55
En 36% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.2
9.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
55
Velocidad de lectura, GB/s
10.2
9.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.4
7.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2124
2078
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
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