RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB vs Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
55
Wokół strony 36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.2
9.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
55
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.4
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2124
2078
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link