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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB vs Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
55
Intorno 36% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
10.2
9.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
55
Velocità di lettura, GB/s
10.2
9.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.4
7.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2124
2078
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
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