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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB vs Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Pontuação geral
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
55
Por volta de 36% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.2
9.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
55
Velocidade de leitura, GB/s
10.2
9.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.4
7.4
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2124
2078
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB Comparações de RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
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CAS Latency (CL) *
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Absolute Latency
0 ns
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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