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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Puntuación global
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
67
En 49% menor latencia
Razones a tener en cuenta
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
5.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
67
Velocidad de lectura, GB/s
8.6
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
5.8
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1682
1798
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
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Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
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