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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
30
En 3% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
30
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
15.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
3672
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
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Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
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