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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Pontuação geral
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
30
Por volta de 3% menor latência
Razões a considerar
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.4
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
30
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
17.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
15.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
3672
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
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