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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Razones a tener en cuenta
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
29
En -12% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.8
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
26
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
18.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
3576
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
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