RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
29
Около -12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.8
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
18.8
Скорость записи, Гб/сек
9.0
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3576
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link