RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
62
En -195% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.5
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
21
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
2874
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link