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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
62
En -170% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
23
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
2755
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
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