RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
62
En -35% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.7
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
46
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
11.0
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
2481
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
SK Hynix HMT41GU6MFR8C-PB 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston ACR128X64D2S800C6 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link