Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Puntuación global
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    26 left arrow 28
    En -8% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    13.9 left arrow 10.9
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.5 left arrow 7.1
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 8500
    En 1.51 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    28 left arrow 26
  • Velocidad de lectura, GB/s
    10.9 left arrow 13.9
  • Velocidad de escritura, GB/s
    7.1 left arrow 9.5
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    8500 left arrow 12800
Other
  • Descripción
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1668 left arrow 2432
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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