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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Puntuación global
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
28
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.9
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
12800
8500
En 1.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
28
26
Velocidad de lectura, GB/s
10.9
13.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
9.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
12800
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1668
2432
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
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