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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB 考慮すべき理由
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 28
    周辺 -8% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.9 left arrow 10.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.5 left arrow 7.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 8500
    周辺 1.51 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 26
  • 読み出し速度、GB/s
    10.9 left arrow 13.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.1 left arrow 9.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    8500 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1668 left arrow 2432

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