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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Punteggio complessivo
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Differenze
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
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Motivi da considerare
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
28
Intorno -8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.9
10.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
7.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
12800
8500
Intorno 1.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
28
26
Velocità di lettura, GB/s
10.9
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.1
9.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
12800
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1668
2432
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB Confronto tra le RAM
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
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