Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Punteggio complessivo
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    26 left arrow 28
    Intorno -8% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    13.9 left arrow 10.9
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.5 left arrow 7.1
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    12800 left arrow 8500
    Intorno 1.51 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    28 left arrow 26
  • Velocità di lettura, GB/s
    10.9 left arrow 13.9
  • Velocità di scrittura, GB/s
    7.1 left arrow 9.5
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    8500 left arrow 12800
Other
  • Descrizione
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1668 left arrow 2432
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