Comparaison de la RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Note globale

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Raisons de considérer
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

26 28

Autour de -8% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

13.9 10.9

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

9.5 7.1

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

12800 8500

Autour de 1.51 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge

7-7-7-20 / 1066 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

1668 2432

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns