Comparación de la memoria RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Puntuación global

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

22 28

En -27% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

17.7 10.9

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

12.7 7.1

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

21300 8500

En 2.51 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj

7-7-7-20 / 1066 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

1668 3075

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns