RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Сообщить об ошибке
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    22 left arrow 28
    Около -27% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    17.7 left arrow 10.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.7 left arrow 7.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 8500
    Около 2.51 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    28 left arrow 22
  • Скорость чтения, Гб/сек
    10.9 left arrow 17.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.1 left arrow 12.7
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    8500 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1668 left arrow 3075

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Сравнения RAM

SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Сравнения RAM

Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
модули RAM
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
модули RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
модули RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
модули RAM
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
модули RAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
модули RAM
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
модули RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
модули RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
модули RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
модули RAM
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
модули RAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
модули RAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
модули RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
модули RAM