Porównanie pamięci RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Wynik ogólny

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

22 28

Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

17.7 10.9

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

12.7 7.1

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

21300 8500

Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara

7-7-7-20 / 1066 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

1668 3075

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns