RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
61
65
En -7% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
61
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
2089
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link