RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
12.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
65
En -141% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.4
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
27
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
12.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
6.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
1732
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link