RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB

Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 12.3
    Среднее значение в тестах
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB Причины выбрать
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    27 left arrow 65
    Около -141% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    6.4 left arrow 1,592.0
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 5300
    Около 3.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    65 left arrow 27
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,580.8 left arrow 12.3
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,592.0 left arrow 6.4
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    5300 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    572 left arrow 1732

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB

Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
модули RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
модули RAM
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
модули RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
модули RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
модули RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
модули RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
модули RAM
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
модули RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
модули RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
модули RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
модули RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
модули RAM