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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Razones a tener en cuenta
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
45
65
En -44% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5.3
3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
45
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
5.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
8.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
1535
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
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