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Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Compara
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB vs Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Puntuación global
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
13.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
47
En -96% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.8
2,021.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
24
Velocidad de lectura, GB/s
3,575.4
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,021.5
6.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
563
2311
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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