RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Comparez
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB vs Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Note globale
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Note globale
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
47
Autour de -96% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.8
2,021.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
24
Vitesse de lecture, GB/s
3,575.4
13.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,021.5
6.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
563
2311
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB Comparaison des RAM
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Crucial Technology BL51264BA160A.16FH 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link