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Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Confronto
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB vs Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Punteggio complessivo
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
13.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
47
Intorno -96% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.8
2,021.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
24
Velocità di lettura, GB/s
3,575.4
13.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,021.5
6.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
563
2311
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB Confronto tra le RAM
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
AMD R744G2606U1S 4GB
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