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Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
比较
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB vs Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
总分
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
总分
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
13.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
47
左右 -96% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
6.8
2,021.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
24
读取速度,GB/s
3,575.4
13.7
写入速度,GB/s
2,021.5
6.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
563
2311
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
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