RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
30
En 20% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
11.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
16
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
30
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2873
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link