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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Compara
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Puntuación global
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
30
En 40% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
14.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
7.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
18
30
Velocidad de lectura, GB/s
17.7
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
13.1
7.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2926
2196
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
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