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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB

Puntuación global
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Puntuación global
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Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Razones a tener en cuenta
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.5 left arrow 8.4
    Valor medio en las pruebas
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    14.9 left arrow 11.5
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 10600
    En 1.81 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    27 left arrow 27
  • Velocidad de lectura, GB/s
    11.5 left arrow 14.9
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.5 left arrow 8.4
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1756 left arrow 2373

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparaciones de la memoria RAM

TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB

Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Memoria RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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