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Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Compara
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Puntuación global
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
99
En -219% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
6.4
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
99
31
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
6.4
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1386
2897
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
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