RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Compara
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
34
En 3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
11.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
34
Velocidad de lectura, GB/s
17.8
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
11.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3285
2831
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link