RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
34
Около 3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
34
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
14.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
2831
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link