RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Comparez
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Note globale
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
34
Autour de 3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
34
Vitesse de lecture, GB/s
17.8
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
11.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3285
2831
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link