Comparación de la memoria RAM Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Puntuación global

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

25 37

En 32% menor latencia

Razones a tener en cuenta
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

21.4 15.4

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

14.3 11.3

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

19200 14900

En 1.29 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Tiempos / Velocidad del reloj

9-10-9-28 / 1866 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2696 3448

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns