RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Porównaj
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Wynik ogólny
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
37
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.4
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
11.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
14900
Wokół strony 1.29 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
37
Prędkość odczytu, GB/s
15.4
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.3
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
19200
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2696
3448
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-RD 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Samsung M4 70T5663QH3-CF7 2GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link