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Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Comparez
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Note globale
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Note globale
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
37
Autour de 32% latence réduite
Raisons de considérer
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21.4
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
11.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
14900
Autour de 1.29 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
37
Vitesse de lecture, GB/s
15.4
21.4
Vitesse d'écriture, GB/s
11.3
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
14900
19200
Other
Description
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Timings / Vitesse d'horloge
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2696
3448
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB Comparaison des RAM
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Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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