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Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Compara
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Puntuación global
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
48
En 48% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
15.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.7
11.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
14900
En 1.72 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
48
Velocidad de lectura, GB/s
15.4
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
11.3
15.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
25600
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2696
3047
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
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