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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Compara
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
12.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
58
En -53% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
38
Velocidad de lectura, GB/s
4,025.3
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
670
2283
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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