Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Puntuación global
star star star star star
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Puntuación global
star star star star star
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    4 left arrow 15.5
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    2,107.0 left arrow 12.0
    Valor medio en las pruebas
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    38 left arrow 58
    En -53% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    25600 left arrow 6400
    En 4 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    58 left arrow 38
  • Velocidad de lectura, GB/s
    4,025.3 left arrow 15.5
  • Velocidad de escritura, GB/s
    2,107.0 left arrow 12.0
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    6400 left arrow 25600
Other
  • Descripción
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    670 left arrow 2283
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones