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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
比较
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
总分
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,107.0
12.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
58
左右 -53% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
38
读取速度,GB/s
4,025.3
15.5
写入速度,GB/s
2,107.0
12.0
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
670
2283
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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