Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB против Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    4 left arrow 15.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    2,107.0 left arrow 12.0
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    38 left arrow 58
    Около -53% меньшая задержка
  • Выше пропускная способность
    25600 left arrow 6400
    Около 4 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    58 left arrow 38
  • Скорость чтения, Гб/сек
    4,025.3 left arrow 15.5
  • Скорость записи, Гб/сек
    2,107.0 left arrow 12.0
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 25600
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    670 left arrow 2283
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения