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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Comparez
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,107.0
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
58
Autour de -53% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
58
38
Vitesse de lecture, GB/s
4,025.3
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,107.0
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
670
2283
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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