RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Compara
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
49
51
En 4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
15.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
11.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
51
Velocidad de lectura, GB/s
15.8
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
11.0
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
25600
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2534
2687
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link