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Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Confronto
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
49
51
Intorno 4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
15.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
11.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
51
Velocità di lettura, GB/s
15.8
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
11.0
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
25600
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2534
2687
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
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Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
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