RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сравнить
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB против Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
49
51
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.8
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
11.8
11.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
51
Скорость чтения, Гб/сек
15.8
15.6
Скорость записи, Гб/сек
11.0
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2534
2687
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link