RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
51
En -82% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.7
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.8
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
28
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
19.7
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
16.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
3927
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link