RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
51
Около -82% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.7
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.8
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
28
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
19.7
Скорость записи, Гб/сек
11.8
16.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3927
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link