RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
51
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.7
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.8
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3927
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link