RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB

総合得点
star star star star star
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

総合得点
star star star star star
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB

Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB 考慮すべき理由
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 19200
    周辺 1.33% 高帯域
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB 考慮すべき理由
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 51
    周辺 -82% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    19.7 left arrow 15.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    16.8 left arrow 11.8
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    51 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    15.6 left arrow 19.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    11.8 left arrow 16.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2687 left arrow 3927

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
メモリRAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
メモリRAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
メモリRAM
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
メモリRAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
メモリRAM
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
メモリRAM