RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
70
71
Wokół strony -1% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
70
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2519
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link