RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
70
71
Wokół strony -1% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
70
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2519
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link