RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
70
71
Wokół strony -1% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
70
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2519
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link